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CRHEA

Le laboratoire est structuré autour de la croissance de matériaux par épitaxie, qui est le cœur de son activité. Ces matériaux se regroupent aujourd’hui autour de la thématique des semiconducteurs à grande bande interdite : les nitrures de gallium (GaN, InN, AlN et les alliages), l’oxyde de zinc (ZnO) et le carbure de silicium (SiC). Le graphène, matériau de bande interdite nulle, épitaxié sur SiC, vient compléter cette liste. Différentes méthodes de croissance sont utilisées pour synthétiser ces matériaux : l’épitaxie par jets moléculaires (sous ultra vide) et diverses épitaxies en phase vapeur. Autour de ce métier de l’épitaxie se sont organisées des activités d’analyses structurales, optiques et électriques. La plate-forme technologique régionale (CRHEATEC) permet de fabriquer des dispositifs. En terme d’applications, le laboratoire couvre aussi bien le domaine de l’électronique (transistors de puissance de type HEMT, diodes Schottky, diodes tunnels, spintronique...) que celui de l’optoélectronique (diodes électroluminescentes, lasers, détecteurs, matériaux pour optique non linéaire, structures à microcavités pour sources optiques...). Le laboratoire s’est également engagé dans la voie des « nano » avec des aspects fondamentaux (nanoscience) et des aspects plus appliqués (nanotechnologie pour l’électronique ou l’optique).

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Zinc oxide AlGaN Transmission electron microscopy Al HEMT III-nitride semiconductors Selective area growth Semiconductors Characterization Silicon 3C–SiC Holography LPCVD Silicon carbide Millimeter-wave power density Schottky barrier diode Chemical vapor deposition processes Nanowire Quantum dots Gallium nitride Metalens III-nitrides Boron nitride AlGaN/GaN HEMT Bullseye antennas AlGaN/GaN Epitaxy Diffraction Molecular beam epitaxy MBE Free-standing GaN Croissance GaN ZnO AlN Photoluminescence DLTFS Atomic force microscopy Épitaxie GaN HEMT Metasurfaces Spectroscopy Contraintes Microcavity Épitaxie par jets moléculaires GaN-on-Si LED Dislocations Tunnel junction MOCVD Metasurface High electron mobility transistors Nanoparticles Semiconducteurs 6H-SiC High electron mobility transistor HEMT Normally-off Gallium nitride GaN Defects Microscopie électronique en transmission CRYSTALS Boîtes quantiques Strong coupling Bending Coalescence Doping Bond order wave Aluminum gallium nitride Excitons Traps Diodes électroluminescentes Chemical vapor deposition Cathodoluminescence Molecular beam epitaxy LEDs Compressive stress Aluminum nitride High electron mobility transistor III-N Caractérisation Nitrides Silicium 2D materials Creep Group III-nitrides Light emitting diodes Electron holography Electrical properties and parameters Atom probe tomography Nitrures d'éléments III Silica Nanostructures CVD Quantum wells InGaN Nitrure de gallium Optical properties Heterostructures Transistor Graphene MBE